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Pseudo Dynamic Gate Design based on the Resonant-Tunneling-Bipolar-Transistor (RTBT)

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Verfasserangaben:P. Glösekötter, W. Prost, C. Pacha, S. O. Kim, H. van Husen, T. Reimann, F.- J. Tegude, K. F. Goser
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):32nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Verlagsort:Florence, Italy
Dokumentart:Beitrag in einem Buch (Kapitel)
Sprache:Englisch
Jahr der Fertigstellung:2002
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Datum der Freischaltung:11.01.2019
Auflage:Sept. 24-26
Fachbereiche:Elektrotechnik und Informatik (ETI)
Publikationsliste:Glösekötter, Peter
Lizenz (Deutsch):License LogoBibliographische Daten