Modification of GaAs surface by low-current Townsend discharge
- The influence of stationary spatially homogeneous Townsend discharge on the (1 0 0) surface of semi-insulating GaAs samples is studied. Samples exposed to both electrons and ions in a nitrogen discharge
| Verfasserangaben: | E. L. Gurevich, S. Kittel, R. Hergenröder, Yu A. Astrov, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, V. A. Tolmachev, A. V. Ankudinov |
|---|---|
| DOI: | https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/275302 |
| ISSN: | 0022-3727 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | J. Phys. D: Appl. Phys. |
| Dokumentart: | Beitrag in einer (wissenschaftlichen) Zeitschrift |
| Sprache: | Englisch |
| Jahr der Fertigstellung: | 2010 |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2010 |
| Datum der Freischaltung: | 07.11.2019 |
| Band / Jahrgang: | 43 |
| Erste Seite: | 275302 |
| Fachbereiche: | Physikingenieurwesen (PHY) |
| Publikationsliste: | Gurevich, Evgeny |
| Lizenz (Deutsch): |  Bibliographische Daten |