Semiconductor device having two monocrystalline semiconductor regions with a different lattice constant and a strained semiconductor region between, <b>United States Patent</b>
| Verfasserangaben: | Hans-Joachim Schulze, Franz-Josef Niedernostheide, Reinhart Job |
|---|---|
| Untertitel (Englisch): | Nov. 18 |
| Dokumentart: | Mitarbeit an einer DIN-Norm, Richtlinie, RFC |
| Sprache: | Englisch |
| Jahr der Fertigstellung: | 2014 |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2014 |
| Datum der Freischaltung: | 11.01.2019 |
| Bemerkung: | US008889531B2 |
| Fachbereiche: | Elektrotechnik und Informatik (ETI) |
| Publikationsliste: | Job, Reinhart |
| Lizenz (Deutsch): |  Bibliographische Daten |