Conversion Efficiency of Radiation Damage Profiles into Hydrogen-Related Donor Profiles
| Verfasserangaben: | G. Johannes, Reinhart Laven, W. Job, H.-J. Schustereder, F.- J. Schulze, H. Niedernostheide, L. Schulze |
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| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | W. Jantsch, F. Schäfer (Editors): Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIV (GADEST 2011) |
| Verlag: | Trans Tech Publications Ltd. |
| Verlagsort: | Zürich |
| Dokumentart: | Beitrag in einem Buch (Kapitel) |
| Sprache: | Englisch |
| Jahr der Fertigstellung: | 2011 |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2011 |
| Datum der Freischaltung: | 11.01.2019 |
| Auflage: | 1 |
| Erste Seite: | 375 |
| Letzte Seite: | 384 |
| Fachbereiche: | Elektrotechnik und Informatik (ETI) |
| Publikationsliste: | Job, Reinhart |
| Lizenz (Deutsch): |  Bibliographische Daten |